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SIHFR120-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 100+ | CNY3.880 (CNY4.3844) |
| 500+ | CNY3.110 (CNY3.5143) |
| 1000+ | CNY2.700 (CNY3.051) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIHFR120-GE3复制
库存编号4853670
产品范围SiHFR120 Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续7.7A
漏源接通状态电阻0.27ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散42W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围SiHFR120 Series
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
7.7A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
42W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.27ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
SiHFR120 Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015