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FDB86363-F085
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 110 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY37.780 | CNY37.78 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY37.780 (CNY42.6914) |
| 10+ | CNY30.240 (CNY34.1712) |
| 100+ | CNY24.460 (CNY27.6398) |
| 500+ | CNY19.280 (CNY21.7864) |
| 1000+ | CNY18.900 (CNY21.357) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDB86363-F085
库存编号
复卷3004000RL
切割卷带3004000
产品范围Power Trench FDD
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续110A
漏源接通状态电阻0.0024ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散300W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围Power Trench FDD
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (15-Jan-2018)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
110A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jan-2018)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.0024ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
Power Trench FDD
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536