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IXFH150N17T2
功率场效应管, MOSFET, N通道, 175 V, 150 A, 0.012 ohm, TO-247, 通孔
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产品概述
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. Suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC choppers, AC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- TrenchT2™ HiperFET™ power MOSFET
- High current handling capability
- Dynamic dv/dt rated
- Low RDS(on)
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
150A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
880W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
175V
漏源接通状态电阻
0.012ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.010206