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STY60NM50
功率场效应管, MOSFET, N通道, 500 V, 60 A, 0.05 ohm, MAX-247, 通孔
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产品概述
The STY60NM50 is a MDmesh™ N-channel Zener-protected Power MOSFET associates the multiple drain process with PowerMESH™ horizontal layout. The device has an outstanding low ON-resistance, impressively high dV/dt and excellent avalanche characteristics. The proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better. It is suitable for increasing power density of high voltage converters allowing system miniaturization and higher efficiencies.
- 0.045Ω RDS (ON)
- High dV/dt and avalanche capability
- Improved ESD capability
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
- Tight process control
- Lowest ON-resistance
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
60A
晶体管封装类型
MAX-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
560W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
500V
漏源接通状态电阻
0.05ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00499