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FDS6576.
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, 表面安装
已停产
FDS6576. 的替代之选
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产品概述
The FDS6576 is a 2.5V specified P-channel MOSFET in a rugged gate version of advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5 to 12V). It can be used in load switch and battery protection.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handing capability
- 43nC typical low gate charge
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
11A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.014ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
830mV
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000226