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FQP9N90C
功率场效应管, MOSFET, N通道, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220, 通孔
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| 100+ | CNY28.440 (CNY32.1372) |
| 500+ | CNY27.860 (CNY31.4818) |
| 1000+ | CNY27.280 (CNY30.8264) |
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产品概述
The FQP9N90C is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- Low gate charge (45nC)
- Low Crss (14pF)
- 100% avalanche tested
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
8A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
205W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
900V
漏源接通状态电阻
1.12ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002033