打印页面
NTB011N15MC
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 75.4 A, 8700 µohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
101 有货
需要更多？
101 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY32.750 | CNY32.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY32.750 (CNY37.0075) |
| 10+ | CNY22.850 (CNY25.8205) |
| 100+ | CNY19.200 (CNY21.696) |
| 500+ | CNY18.290 (CNY20.6677) |
| 1000+ | CNY17.930 (CNY20.2609) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTB011N15MC复制
制造商标准货期44 周
库存编号
复卷3787290RL
切割卷带3787290
产品范围PowerTrench
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续75.4A
漏源接通状态电阻8700µohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散136.4W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围PowerTrench
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
150V, 75.4A N-channel shielded gate PowerTrench® MOSFET is typically used in synchronous rectification for ATX / server / telecom PSU, motor drives, uninterruptible power supplies and micro solar inverters.
- Shielded gate MOSFET technology, optimized switching performance
- Max RDS(on) = 10.9mohm at VGS = 10V, ID = 75.4A
- Industry’s lowest Qrr and softest body-diode for superior low noise switching
- 50% lower Qrr than other MOSFET suppliers
- High efficiency with lower switching spike and EMI
- Lowers switching noise/EMI, improved switching FOM particularly Qgd
- 100% UIL tested
- No need or less snubber
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
75.4A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
136.4W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
8700µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
PowerTrench
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001