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ZVP1320FTA
功率场效应管, MOSFET, 增强模式, P通道, 200 V, 35 mA, 80 ohm, SOT-23, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.010 | CNY20.05 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.010 (CNY4.5313) |
| 50+ | CNY3.320 (CNY3.7516) |
| 100+ | CNY2.620 (CNY2.9606) |
| 500+ | CNY1.800 (CNY2.034) |
| 1500+ | CNY1.770 (CNY2.0001) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZVP1320FTA复制
库存编号
复卷2061503RL
切割卷带2061503
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续35mA
漏源接通状态电阻80ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.5V
功率耗散330mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The ZVP1320FTA is a -200V P-channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET with NiPdAu over Copper lead frame terminals solderable as per MIL-STD-202 standard, method 208.
- Maximum continuous drain current
- AEC-Q101 qualified
- UL94V-0 Flammability rating
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
35mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
330mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
80ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000544