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SIDR626LEP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 218 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY38.920 | CNY38.92 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY38.920 (CNY43.9796) |
| 10+ | CNY25.820 (CNY29.1766) |
| 100+ | CNY18.360 (CNY20.7468) |
| 500+ | CNY16.080 (CNY18.1704) |
| 1000+ | CNY15.760 (CNY17.8088) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIDR626LEP-T1-RE3复制
制造商标准货期45 周
库存编号
复卷3782483RL
切割卷带3782483
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续218A
漏源接通状态电阻1500µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散150W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
218A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
1500µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536