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NTMFS2D5N08XT1G

功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 181 A, 2100 µohm, DFN, 表面安装

ONSEMI
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
ONSEMI NTMFS2D5N08XT1G 功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 181 A, 2100 µohm, DFN, 表面安装
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMFS2D5N08XT1G复制
制造商标准货期47 周
库存编号
复卷4381418RL
切割卷带4381418
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合计 价钱 (含税) CNY23.61 (CNY26.68)
切割卷带 & 复卷
数量价钱 (含税)
1+CNY23.610 (CNY26.6793)
10+CNY15.240 (CNY17.2212)
100+CNY10.590 (CNY11.9667)
500+CNY8.840 (CNY9.9892)
1000+CNY7.440 (CNY8.4072)
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产品信息

  • ONSEMI
    制造商ONSEMI
    制造商产品编号NTMFS2D5N08XT1G复制
    制造商标准货期47 周
    库存编号
    复卷4381418RL
    切割卷带4381418
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型N通道
    漏源电压, Vds80V
    电流, Id 连续181A
    漏源接通状态电阻2100µohm
    晶体管封装类型DFN
    晶体管安装表面安装
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值3.6V
    功率耗散148W
    针脚数5引脚
    工作温度最高值175°C
    产品范围-
    合规-
    SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)

技术规格

  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    181A

    晶体管封装类型

    DFN

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    148W

    工作温度最高值

    175°C

    合规

    -

    漏源电压, Vds

    80V

    漏源接通状态电阻

    2100µohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    3.6V

    针脚数

    5引脚

    产品范围

    -

    SVHC(高度关注物质)

    Lead (25-Jun-2025)

技术文档 2

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    Malaysia
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：Y-Ex

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:Lead (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.000001