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MRF1K50HR5
晶体管, 射频FET, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230
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|---|---|
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| 5+ | CNY2,778.070 (CNY3,139.2191) |
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产品概述
MRF1K50HR5 是一款射频功率 LDMOS 晶体管，采用 4 引脚 NI-1230 封装。这款坚固耐用的器件设计用于高驻波比工业、科学和医疗应用，以及无线电和 VHF 电视广播、sub--GHz 航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许在 1.8 至 500MHz 的宽频率范围内使用。
- 高漏极-源极雪崩能量吸收能力
- 无与伦比的输入和输出，可在宽频率范围内使用
- 器件可用于单端或推挽式配置
- 特征电压为 30 至 50V，便于使用
- 适合线性应用
- 集成 ESD 保护功能，具有更大的负栅-源极电压，提高了 C 类工作性能
- 推荐驱动程序： MRFE6VS25N (25W)
技术规格
漏源电压, Vds
135VDC
功率耗散
1.667kW
运行频率最大值
500MHz
针脚数
4引脚
通道类型
N通道
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
电流, Id 连续
-
工作频率最小值
1.8MHz
晶体管封装类型
NI-1230
工作温度最高值
225°C
晶体管安装
法兰
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.011793