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IXFN48N60P
MOSFET晶体管, N沟道, 40 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 5.5 V, SOT-227B
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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产品信息
制造商产品编号IXFN48N60P复制
库存编号2674761
产品范围PolarHV HiPerFET
技术数据表
通道类型N通道
电流, Id 连续40A
漏源电压, Vds600V
漏源接通状态电阻0.14ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5.5V
功率耗散625W
工作温度最高值150°C
产品范围PolarHV HiPerFET
SVHC(高度关注物质)Lead (17-Jan-2023)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
600V
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
625W
产品范围
PolarHV HiPerFET
电流, Id 连续
40A
漏源接通状态电阻
0.14ohm
阈值栅源电压最大值
5.5V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (17-Jan-2023)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.03