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IXFN80N50P.
场效应管, MOSFET, 模块, N沟道, 500V, 66A
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY295.480 (CNY333.8924) |
| 5+ | CNY262.710 (CNY296.8623) |
| 10+ | CNY229.930 (CNY259.8209) |
| 50+ | CNY229.400 (CNY259.222) |
| 100+ | CNY228.870 (CNY258.6231) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXFN80N50P.复制
制造商标准货期47 周
库存编号3949054
技术数据表
电流, Id 连续66A
漏源电压, Vds500V
Rds(on)测试电压10V
功率耗散700W
技术规格
电流, Id 连续
66A
Rds(on)测试电压
10V
产品范围
PolarHV HiPerFET Series
漏源电压, Vds
500V
功率耗散
700W
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量（千克）：.044725