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N和P沟道 双MOSFET :
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=N和P沟道
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漏源电压Vds N沟道
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电流, Id 连续
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在电阻RDS（上）
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连续漏极电流 Id N沟道
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连续漏极电流 Id P沟道
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漏源通态电阻N沟道
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 晶体管极性 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压, Vds | 漏源电压Vds P沟道 | 电流, Id 连续 | 在电阻RDS（上） | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 晶体管安装 | 漏源导通电阻P沟道 | Rds(on)测试电压 | 晶体管封装类型 | 阈值栅源电压最大值 | 针脚数 | 功耗 Pd | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 | 产品范围 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY2.100(CNY2.373) 500+ CNY1.570(CNY1.7741) 1500+ CNY1.300(CNY1.469) | N和P沟道 | N和P沟道 | 20V | 20V | 20V | 4A | 0.025ohm | 4A | 4A | 0.025ohm | 表面安装 | 0.025ohm | 4.5V | UDFN | 1V | 6引脚 | 1W | 1W | 1W | 150°C | - | ||||||
单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY2.300(CNY2.599) 500+ CNY1.720(CNY1.9436) 1000+ CNY1.330(CNY1.5029) 5000+ CNY1.040(CNY1.1752) | N和P沟道 | N和P沟道 | 20V | 20V | 20V | 1.6A | 0.087ohm | 1.6A | 1.6A | 0.087ohm | 表面安装 | 0.087ohm | 4V | SOT-363F | 1V | 6引脚 | 500mW | 500mW | 500mW | 150°C | - | ||||||
单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY2.670(CNY3.0171) 500+ CNY2.040(CNY2.3052) 1000+ CNY1.590(CNY1.7967) 5000+ CNY1.340(CNY1.5142) | N和P沟道 | N和P沟道 | 12V | 12V | 12V | 4.5A | 0.024ohm | 4.5A | 4.5A | 0.024ohm | 表面安装 | 0.024ohm | 4.5V | PowerPAK SC-70 | 1V | 6引脚 | 7.8W | 7.8W | 7.8W | 150°C | TrenchFET Series | ||||||
