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SSM6N7002BFE,LM(T
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 60 V, 200 mA, 2.1 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商TOSHIBA
制造商产品编号SSM6N7002BFE,LM(T复制
库存编号
复卷4415953RL
切割卷带4415953
产品范围U-MOSIV Series
也称为SSM6N7002BFE, SSM6N7002BFE,LM
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.150 | CNY10.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.150 (CNY2.4295) |
| 10+ | CNY1.300 (CNY1.469) |
| 100+ | CNY0.801 (CNY0.9051) |
| 500+ | CNY0.595 (CNY0.6724) |
| 1000+ | CNY0.367 (CNY0.4147) |
| 5000+ | CNY0.321 (CNY0.3627) |
品項附註
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产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号SSM6N7002BFE,LM(T复制
库存编号
复卷4415953RL
切割卷带4415953
产品范围U-MOSIV Series
也称为SSM6N7002BFE, SSM6N7002BFE,LM
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道200mA
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道2.1ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-563
针脚数6引脚
耗散功率N沟道150mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围U-MOSIV Series
合规-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
U-MOSIV Series
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
200mA
漏源通态电阻N沟道
2.1ohm
晶体管封装类型
SOT-563
耗散功率N沟道
150mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000003