打印页面
SSM6N44FU,LF(T
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 30 V, 100 mA, 4 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商TOSHIBA
制造商产品编号SSM6N44FU,LF(T复制
库存编号
复卷4381049RL
切割卷带4381049
产品范围pi-MOSVI Series
也称为SSM6N44FU, SSM6N44FU,LF
您的零件号
149,125 有货
需要更多？
149,125 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.600 | CNY13.00 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.600 (CNY2.938) |
| 10+ | CNY1.600 (CNY1.808) |
| 100+ | CNY0.992 (CNY1.121) |
| 500+ | CNY0.733 (CNY0.8283) |
| 1000+ | CNY0.542 (CNY0.6125) |
| 5000+ | CNY0.405 (CNY0.4576) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号SSM6N44FU,LF(T复制
库存编号
复卷4381049RL
切割卷带4381049
产品范围pi-MOSVI Series
也称为SSM6N44FU, SSM6N44FU,LF
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道100mA
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道4ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道200mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围pi-MOSVI Series
合规-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
pi-MOSVI Series
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
100mA
漏源通态电阻N沟道
4ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000007