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SQJ764ELP-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 60 V, 62 A, 0.0105 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY12.830 (CNY14.4979) |
| 100+ | CNY8.670 (CNY9.7971) |
| 500+ | CNY6.890 (CNY7.7857) |
| 1000+ | CNY5.770 (CNY6.5201) |
| 5000+ | CNY5.660 (CNY6.3958) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJ764ELP-T1_GE3复制
制造商标准货期62 周
库存编号4588045
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道62A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.0105ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数4引脚
耗散功率N沟道86W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
4引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
62A
漏源通态电阻N沟道
0.0105ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
86W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001