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双MOSFET :
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制造商
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耗散功率N沟道
=4.4W
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漏源电压Vds N沟道
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漏源通态电阻N沟道
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 连续漏极电流 Id N沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 晶体管封装类型 | 针脚数 | 耗散功率N沟道 | 工作温度最高值 | 产品范围 | 合规 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY17.750(CNY20.0575) 10+ CNY11.410(CNY12.8933) 100+ CNY7.800(CNY8.814) 500+ CNY6.240(CNY7.0512) 1000+ CNY5.400(CNY6.102) 更多价格信息... | 双N通道 | 30V | 8A | 0.013ohm | SOIC | 8引脚 | 4.4W | 175°C | TrenchFET Series | AEC-Q101 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY15.150(CNY17.1195) 10+ CNY10.670(CNY12.0571) 100+ CNY7.780(CNY8.7914) 500+ CNY6.130(CNY6.9269) 1000+ CNY5.540(CNY6.2602) 更多价格信息... | N通道 | 30V | 8A | 0.013ohm | SOIC | 8引脚 | 4.4W | 175°C | TrenchFET Series | AEC-Q101 | ||||||
