打印页面
SIZF914DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N沟道+肖特基, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 600 µohm
可订购
制造商标准交货时间：76 周
有货时请通知我
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY19.280 | CNY19.28 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY19.280 (CNY21.7864) |
| 10+ | CNY11.430 (CNY12.9159) |
| 100+ | CNY8.470 (CNY9.5711) |
| 500+ | CNY7.130 (CNY8.0569) |
| 1000+ | CNY5.960 (CNY6.7348) |
| 5000+ | CNY5.760 (CNY6.5088) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
技术规格
通道类型
N沟道+肖特基
漏源电压Vds P沟道
25V
连续漏极电流 Id P沟道
60A
漏源导通电阻P沟道
600µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
60W
产品范围
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
60A
漏源通态电阻N沟道
600µohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
60W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003