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双MOSFET :
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漏源通态电阻N沟道
=0.25ohm
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漏源电压Vds N沟道
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连续漏极电流 Id N沟道
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连续漏极电流 Id P沟道
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漏源导通电阻P沟道
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耗散功率N沟道
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压Vds P沟道 | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 漏源导通电阻P沟道 | 晶体管封装类型 | 针脚数 | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY9.490(CNY10.7237) 10+ CNY6.100(CNY6.893) 100+ CNY4.300(CNY4.859) 500+ CNY3.680(CNY4.1584) | 补充双N和双P沟道 | 60V | 60V | 1.39A | 1.39A | 0.25ohm | 0.25ohm | SOIC | 8引脚 | 870mW | 870mW | 150°C | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY3.910(CNY4.4183) | N通道 | 30V | - | 750mA | - | 0.25ohm | - | SC-70 | 6引脚 | 360mW | - | 150°C | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY5.230(CNY5.9099) 10+ CNY4.380(CNY4.9494) 100+ CNY2.950(CNY3.3335) 500+ CNY2.330(CNY2.6329) 1000+ CNY1.800(CNY2.034) 更多价格信息... | 互补N与P沟道 | 30V | 30V | 750mA | 750mA | 0.25ohm | 0.25ohm | SC-70 | 6引脚 | 380mW | 360mW | 150°C | ||||||
