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双MOSFET :
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漏源通态电阻N沟道
=0.064ohm
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漏源电压Vds N沟道
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连续漏极电流 Id N沟道
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连续漏极电流 Id P沟道
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漏源导通电阻P沟道
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耗散功率N沟道
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压Vds P沟道 | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 漏源导通电阻P沟道 | 晶体管封装类型 | 针脚数 | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY8.600(CNY9.718) 50+ CNY7.150(CNY8.0795) 100+ CNY5.710(CNY6.4523) 500+ CNY5.600(CNY6.328) 1500+ CNY5.480(CNY6.1924) | P通道 | 20V | 20V | 2.9A | 2.9A | 0.064ohm | 0.064ohm | ChipFET | 8引脚 | 1.1W | 1.1W | 150°C | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY8.090(CNY9.1417) 50+ CNY6.730(CNY7.6049) 100+ CNY5.370(CNY6.0681) 500+ CNY3.860(CNY4.3618) 1500+ CNY3.790(CNY4.2827) | 互补N与P沟道 | 20V | 20V | 3.9A | 3.9A | 0.064ohm | 0.064ohm | ChipFET | 8引脚 | 1.1W | 1.1W | 150°C | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY164.980(CNY186.4274) 5+ CNY158.290(CNY178.8677) 10+ CNY151.600(CNY171.308) 50+ CNY144.900(CNY163.737) 100+ CNY138.200(CNY156.166) 更多价格信息... | 双N通道 | 650V | - | 53A | - | 0.064ohm | - | ACEPACK SMIT | 9引脚 | 424W | - | 150°C | ||||||
