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DMN3015LSD-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.4 A, 0.015 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY7.860 | CNY39.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.860 (CNY8.8818) |
| 10+ | CNY4.760 (CNY5.3788) |
| 100+ | CNY3.270 (CNY3.6951) |
| 500+ | CNY2.600 (CNY2.938) |
| 1000+ | CNY1.740 (CNY1.9662) |
| 5000+ | CNY1.710 (CNY1.9323) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN3015LSD-13
库存编号
复卷3944101RL
切割卷带3944101
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续8.4A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道8.4A
在电阻RDS（上）0.008ohm
连续漏极电流 Id P沟道8.4A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.015ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道-
阈值栅源电压最大值2.5V
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
功耗 Pd1.2W
耗散功率N沟道1.2W
耗散功率P沟道1.2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
8.4A
连续漏极电流 Id N沟道
8.4A
连续漏极电流 Id P沟道
8.4A
漏源通态电阻N沟道
0.015ohm
漏源导通电阻P沟道
-
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
1.2W
耗散功率P沟道
1.2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.008ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001