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DMHT10H032LFJ-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY27.950 | CNY27.95 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY27.950 (CNY31.5835) |
| 10+ | CNY18.820 (CNY21.2666) |
| 100+ | CNY15.310 (CNY17.3003) |
| 500+ | CNY13.340 (CNY15.0742) |
| 1000+ | CNY8.880 (CNY10.0344) |
| 5000+ | CNY4.420 (CNY4.9946) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMHT10H032LFJ-13
库存编号
复卷3589313RL
切割卷带3589313
技术数据表
通道类型N通道
电流, Id 连续6A
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道-
漏源电压, Vds100V
连续漏极电流 Id N沟道6A
漏源接通状态电阻0.025ohm
Rds(on)测试电压10V
连续漏极电流 Id P沟道-
阈值栅源电压最大值2.5V
漏源通态电阻N沟道0.033ohm
功率耗散900mW
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型DFN5045
针脚数12引脚
耗散功率N沟道900mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
100V
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.025ohm
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
0.033ohm
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
12引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
电流, Id 连续
6A
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
6A
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
功率耗散
900mW
晶体管封装类型
DFN5045
耗散功率N沟道
900mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000121