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DMP2004VK-7
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 530 mA, 530 mA
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY7.470 | CNY37.35 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.470 (CNY8.4411) |
| 10+ | CNY4.960 (CNY5.6048) |
| 100+ | CNY3.160 (CNY3.5708) |
| 500+ | CNY2.100 (CNY2.373) |
| 1000+ | CNY1.180 (CNY1.3334) |
| 5000+ | CNY1.160 (CNY1.3108) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
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制造商标准货期76 周
库存编号
复卷3944140RL
切割卷带3944140
技术数据表
通道类型P通道
晶体管极性P沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续530mA
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.7ohm
连续漏极电流 Id N沟道530mA
连续漏极电流 Id P沟道530mA
漏源通态电阻N沟道-
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.9ohm
Rds(on)测试电压4.5V
晶体管封装类型SOT-563
阈值栅源电压最大值1V
功耗 Pd400mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道400mW
耗散功率P沟道400mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
530mA
在电阻RDS（上）
0.7ohm
连续漏极电流 Id P沟道
530mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
400mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
晶体管极性
P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
530mA
漏源通态电阻N沟道
-
漏源导通电阻P沟道
0.9ohm
晶体管封装类型
SOT-563
功耗 Pd
400mW
耗散功率N沟道
400mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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产品合规证书
重量（千克）：.000001