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DMN601DMK-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 510 mA, 510 mA, 2.4 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY5.190 | CNY25.95 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.190 (CNY5.8647) |
| 10+ | CNY3.240 (CNY3.6612) |
| 100+ | CNY2.080 (CNY2.3504) |
| 500+ | CNY1.600 (CNY1.808) |
| 1000+ | CNY1.410 (CNY1.5933) |
| 5000+ | CNY1.220 (CNY1.3786) |
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- 制造商DIODES INC.制造商产品编号DMN601DMK-7库存编号复卷3944120RL切割卷带3944120技术数据表通道类型N通道晶体管极性N沟道漏源电压, Vds60V漏源电压Vds N沟道60V电流, Id 连续510mA漏源电压Vds P沟道60V连续漏极电流 Id N沟道510mA在电阻RDS（上）1.2ohm连续漏极电流 Id P沟道510mA晶体管安装表面安装漏源通态电阻N沟道2.4ohm漏源导通电阻P沟道-Rds(on)测试电压10V阈值栅源电压最大值1.6V晶体管封装类型SOT-26针脚数6引脚功耗 Pd980mW耗散功率N沟道980mW耗散功率P沟道980mW工作温度最高值150°C产品范围-合规-汽车质量标准-SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
- 通道类型
N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续510mA
连续漏极电流 Id N沟道510mA
连续漏极电流 Id P沟道510mA
漏源通态电阻N沟道2.4ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOT-26
功耗 Pd980mW
耗散功率P沟道980mW
产品范围-
汽车质量标准-
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
在电阻RDS（上）1.2ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道-
阈值栅源电压最大值1.6V
针脚数6引脚
耗散功率N沟道980mW
工作温度最高值150°C
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
- 原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区税则号：85411000US ECCN:EAR99EU ECCN:NLRRoHS 合规：是RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)下载产品合规证书产品合规证书
重量（千克）：.000001