双MOSFET :
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制造商
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连续漏极电流 Id P沟道
=197A
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通道类型
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漏源电压Vds N沟道
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漏源电压Vds P沟道
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连续漏极电流 Id N沟道
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漏源通态电阻N沟道
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漏源导通电阻P沟道
(1)
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晶体管封装类型
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针脚数
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耗散功率N沟道
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压Vds P沟道 | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 漏源导通电阻P沟道 | 晶体管封装类型 | 针脚数 | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 | 产品范围 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY10.510(CNY11.8763) 10+ CNY8.660(CNY9.7858) 100+ CNY6.740(CNY7.6162) 500+ CNY6.190(CNY6.9947) | N沟道+肖特基 | 30V | 30V | 197A | 197A | 817µohm | 817µohm | PowerPAIR | 8引脚 | 66W | 66W | 150°C | TrenchFET Gen IV SkyFET Series | ||||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY21.340(CNY24.1142) 10+ CNY13.800(CNY15.594) 100+ CNY9.530(CNY10.7689) 500+ CNY7.860(CNY8.8818) 1000+ CNY7.710(CNY8.7123) | N通道 | 30V | 30V | 197A | 197A | 700µohm | 700µohm | PowerPAIR | 8引脚 | 74W | 74W | 150°C | TrenchFET Gen IV SkyFET Series | ||||||

