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双MOSFET :
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连续漏极电流 Id N沟道
=3.2A
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漏源电压Vds N沟道
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连续漏极电流 Id P沟道
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漏源通态电阻N沟道
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漏源导通电阻P沟道
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耗散功率N沟道
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压Vds P沟道 | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 漏源导通电阻P沟道 | 晶体管封装类型 | 针脚数 | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY12.420(CNY14.0346) 50+ CNY10.450(CNY11.8085) 100+ CNY8.470(CNY9.5711) 500+ CNY6.230(CNY7.0399) 1500+ CNY6.140(CNY6.9382) | P通道 | 60V | 60V | 3.2A | 3.2A | 0.051ohm | 0.051ohm | PowerPAK | 8引脚 | 1.5W | 1.5W | 150°C | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY11.960(CNY13.5148) 10+ CNY7.570(CNY8.5541) 100+ CNY5.260(CNY5.9438) 500+ CNY5.160(CNY5.8308) 1000+ CNY5.050(CNY5.7065) 更多价格信息... | N通道 | 60V | - | 3.2A | - | 0.18ohm | - | SOIC | 8引脚 | 2.1W | - | 150°C | ||||||
