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双MOSFET :
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连续漏极电流 Id N沟道
=2.9A
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漏源电压Vds N沟道
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漏源电压Vds P沟道
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连续漏极电流 Id P沟道
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漏源通态电阻N沟道
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漏源导通电阻P沟道
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晶体管封装类型
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针脚数
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耗散功率N沟道
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压Vds P沟道 | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 漏源导通电阻P沟道 | 晶体管封装类型 | 针脚数 | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY8.600(CNY9.718) 50+ CNY7.150(CNY8.0795) 100+ CNY5.710(CNY6.4523) 500+ CNY5.600(CNY6.328) 1500+ CNY5.480(CNY6.1924) | P通道 | 20V | 20V | 2.9A | 2.9A | 0.064ohm | 0.064ohm | ChipFET | 8引脚 | 1.1W | 1.1W | 150°C | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY10.490(CNY11.8537) 10+ CNY6.540(CNY7.3902) 100+ CNY3.270(CNY3.6951) 500+ CNY2.870(CNY3.2431) | 互补N与P沟道 | 30V | 30V | 2.9A | 2.9A | 0.12ohm | 0.21ohm | DFN3020B | 8引脚 | 2.45W | 2.45W | 150°C | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY15.050(CNY17.0065) 10+ CNY9.570(CNY10.8141) 100+ CNY6.390(CNY7.2207) 500+ CNY6.270(CNY7.0851) 1000+ CNY6.150(CNY6.9495) 更多价格信息... | P通道 | 60V | 60V | 2.9A | 2.9A | 0.082ohm | 0.082ohm | SOIC | 8引脚 | 2W | 2W | 150°C | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY15.310(CNY17.3003) 10+ CNY9.600(CNY10.848) 100+ CNY6.340(CNY7.1642) 500+ CNY5.030(CNY5.6839) 1000+ CNY4.930(CNY5.5709) 更多价格信息... | P通道 | 60V | 60V | 2.9A | 2.9A | - | 0.085ohm | SOIC | 8引脚 | 2.15W | 2.15W | 150°C | ||||||
