打印页面

EVALFFXMR20KM1HDRTOBO1

评估板、FF6MR20KM1H、FF4MR20KM1H、FF3MR20KM1H、1ED3890MC12M、隔离栅极驱动器

INFINEON
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
INFINEON EVALFFXMR20KM1HDRTOBO1
制造商INFINEON
制造商产品编号EVALFFXMR20KM1HDRTOBO1
库存编号4397742
您的零件号
技术数据表

Data Sheet

查看所有技术文档
5 有货

需要更多？

5 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
数量价钱 (含税)
1+CNY2,499.620 (CNY2,824.5706)
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY2,499.62 (CNY2,824.57 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。

  • EVALFFXMR20KM1HDRTOBO1 是一款用于评估 FF6MR20KM1H、FF4MR20KM1H 和 FF3MR20KM1H CoolSiC™ MOSFET 模块的评估板。该评估板允许用户通过双脉冲测量评估器件性能。EVAL-FFXMR20KM1HDR 评估板使客户能够快速开始初步特性测量。 由于采用了 EiceDRIVER™ 1ED38x0Mc12M 并支持通过 I2C 总线进行灵活的参数设置，EVAL-FFXMR20KM1HDR 无需更改硬件即可快速适应不同应用（如 DC/DC 转换器、太阳能应用、UPS 系统、固态变压器、驱动器等）。 这些灵活的参数设置由 27 个可通过 I2C 访问的配置寄存器提供。这些配置选项会影响许多阈值和时序参数，从而针对目标应用优化电路。

    • 适用于采用 CoolSiC™ 沟槽 MOSFET 技术的 62 mm、2kV 模块的半桥驱动器
    • 驱动器 IC 1ED3890MC12M 或 1ED3890MU12M（3 路数字）带 I2C 总线，用于参数调整
    • 在电气和机械方面均适用于采用 CoolSiC™ 沟槽型 MOSFET 技术的 62mm、2kV 模块
    • 负电压调节范围为 -5V 至 0V
    • 正电压调节，适用于高开关频率
    • 合理的 PCB 设计，可限制运行期间的 PCB 发热
    • 40V 绝对最大输出电源电压
    • 升压级可提高源极和漏极栅极电流能力
    • 独立源极与漏极输出实现优化栅极驱动
    • 可调钳位/钳位驱动器/ADC引脚
  • 硅芯制造商

    Infineon

    套件应用类型

    电源管理

    套件内容

    评估板 1ED3890MC12M

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

    硅芯号

    FF6MR20KM1H, FF4MR20KM1H, FF3MR20KM1H, 1ED3890MC12M

    应用系统子类型

    隔离栅极驱动器

    产品范围

    -

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    Germany
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：84733020
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.1