EVLSTDRIVEG610Q

EVLSTDRIVEG610Q 是一款基于 STDRIVEG610 600V 高速半桥栅极驱动器（搭配 SGT120R65AL e-mode GaN HEMT）的评估板。 STDRIVEG610 是一款高速半桥栅极驱动器，专为驱动高压增强型 GaN HEMT 而优化。它具有独立的大电流源极/漏极栅极驱动引脚、集成 LDO、欠压、自举二极管、高侧快速启动、过温、故障和关断引脚以及待机功能，可在 4x5mm QFN 封装中全面支持硬开关拓扑。 EVLSTDRIVEG610Q 评估板易于使用且快速适配，可用于评估 STDRIVEG610 驱动 SGT120R65AL（典型值 75mohm，650V E-Mode GaN 开关，采用 5x6 mm QFN 封装）的特性。 该板载有可编程死区时间发生器和 3.3V 线性稳压器，用于为微控制器等外部逻辑电路供电。此外还预留了备用焊盘，以便根据最终应用需求对电路板进行定制，例如分离的 LIN 和 HIN 输入信号或单一 PWM 信号。

• 采用 STDRIVEG610 GaN 栅极驱动器的半桥拓扑
• 配备典型阻值为 75mohm、耐压 650V 的 e-mode HEMT GaN
• 可调的硬接通和硬关断 dV/dt
• 9 至 18V（典型值为12V）VCC供电电压
• 板载可调死区时间发生器
• 也可使用带外部死区的独立输入
• 通过外部自举二极管实现最短的高侧启动时间
• 可选附加高压大容量电容的布局空间
• 板载 3.3V 稳压器，用于为外部电路供电