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RDGD31603PHSEVM
参考设计板, GD3160, 3相EV电机控制, IGBT/SiC栅极驱动器
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产品信息
制造商NXP
制造商产品编号RDGD31603PHSEVM复制
库存编号3868959
技术数据表
硅芯制造商NXP
硅芯号GD3160
套件应用类型IGBT/SiC栅极驱动器
应用系统子类型三相EV电机控制
内核架构ARM
内核子架构Cortex-M0+
硅芯系列号-
套件内容参考设计板 GD3160, PCIe电缆 (S32SDEV-CON18), 防静电袋, 快速入门指南
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
三相参考设计与评估套件，配备六个用于 IGBT/SiC MOSFET 器件的 GD3160 栅极驱动器。该套件包含用于与 PC 接口的 Freedom KL25Z 微控制器硬件。需在 PC 上安装 Flex GUI 软件，该软件可通过 SPI 寄存器与 GD3160 通信，支持菊花链或独立配置。 该套件允许用户无需任何软件开发即可配置器件，并在单相上进行单脉冲或双脉冲操作。它与 NXP MPC5775B/E-EVB（未包含）兼容，可通过我们的软件示例实现完整的电机控制。该评估套件设计用于连接具有兼容焊盘的
- 采用 GD3160 的 VE-Trac™ 驱动 SiC 模块三相参考设计
内容
采用 GD3160 的 VE-Trac™ 驱动 SiC 模块三相参考设计，包含 KITGD3160TREVB 转换器（搭载 KL25Z MCU）、Micro USB 数据线及快速入门指南。
技术规格
硅芯制造商
NXP
套件应用类型
IGBT/SiC栅极驱动器
内核架构
ARM
硅芯系列号
-
产品范围
-
硅芯号
GD3160
应用系统子类型
三相EV电机控制
内核子架构
Cortex-M0+
套件内容
参考设计板 GD3160, PCIe电缆 (S32SDEV-CON18), 防静电袋, 快速入门指南
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.02