AS7C4096A-12JIN

AS7C4096A-12JIN 是一款 5.0V 4Mb（512K × 8）CMOS 高速 SRAM。这是一款高性能 CMOS 4,194,304 位静态随机存取存储器（SRAM）器件，组织结构为 524,288 字 × 8 位。 该器件专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的存储应用而设计。芯片使能输入（CE）为低电平有效，便于通过多银行存储系统轻松扩展存储容量。当低电平有效的 CE 处于高电平时，器件进入待机模式。在 CMOS 待机模式下，器件功耗保证不超过 55mW。 所有芯片输入和输出均兼容TTL，且工作电压为单路5.0V。

• 中心电源和接地引脚
• 低功耗：10ns（活动）时最大880mW，CMOS（待机）时最大55mW
• 访问时间和周期时间相等
• 通过低电平有效 CE 和低电平有效 OE 输入轻松扩展内存
• 与 TTL 兼容的三态 I/O
• JEDEC 标准封装
• ESD 保护 ≥ 2000 V
• 锁定电流≥ 200mA
• 12ns 访问时间，SOJ 封装
• 工业温度范围: -40°C到85°C