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SUM60061EL-GE3
MOSFET, P-CH, 80V, 150A, TO-263
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| 10+ | CNY46.380 (CNY52.4094) |
| 100+ | CNY34.120 (CNY38.5556) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SUM60061EL-GE3复制
制造商标准货期43 周
库存编号4754490
产品范围TrenchFET Series
通道类型P Channel
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续150A
漏源接通状态电阻0.0061ohm
晶体管封装类型TO-263
晶体管安装Surface Mount
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散375W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
技术规格
通道类型
P Channel
电流, Id 连续
150A
晶体管封装类型
TO-263
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
375W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.0061ohm
晶体管安装
Surface Mount
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002188