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SUM60020E-GE3
MOSFET, N-CH, 80V, 150A, TO-263
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY37.520 (CNY42.3976) |
| 10+ | CNY33.980 (CNY38.3974) |
| 25+ | CNY31.880 (CNY36.0244) |
| 50+ | CNY29.840 (CNY33.7192) |
| 100+ | CNY27.120 (CNY30.6456) |
| 500+ | CNY25.150 (CNY28.4195) |
| 1000+ | CNY24.560 (CNY27.7528) |
| 2500+ | CNY23.960 (CNY27.0748) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SUM60020E-GE3复制
制造商标准货期43 周
库存编号4753004
产品范围TrenchFET Series
通道类型N Channel
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续150A
漏源接通状态电阻0.0021ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装Surface Mount
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散375W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
技术规格
通道类型
N Channel
电流, Id 连续
150A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
375W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.0021ohm
晶体管安装
Surface Mount
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454