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SQJ152EP-T1_GE3

功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 114 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, 表面安装

VISHAY
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
VISHAY SQJ152EP-T1_GE3 功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 114 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
制造商VISHAY
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库存编号
复卷3765815RL
切割卷带3765815
产品范围TrenchFET Gen IV
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产品信息

  • VISHAY
    制造商VISHAY
    制造商产品编号SQJ152EP-T1_GE3复制
    库存编号
    复卷3765815RL
    切割卷带3765815
    产品范围TrenchFET Gen IV
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型N通道
    漏源电压, Vds40V
    电流, Id 连续114A
    漏源接通状态电阻5100µohm
    晶体管封装类型PowerPAK SO
    晶体管安装表面安装
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值3V
    功率耗散136W
    针脚数8引脚
    工作温度最高值175°C
    产品范围TrenchFET Gen IV
    合规AEC-Q101
    SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)

产品概述

    • 汽车N沟道40V（D-S）175°C MOSFET
    • TrenchFET®Gen IV功率MOSFET
    • AEC-Q101合规
    • 100 %Rg和UIS测试

技术规格

  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    114A

    晶体管封装类型

    PowerPAK SO

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    136W

    工作温度最高值

    175°C

    合规

    AEC-Q101

    漏源电压, Vds

    40V

    漏源接通状态电阻

    5100µohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    3V

    针脚数

    8引脚

    产品范围

    TrenchFET Gen IV

    SVHC(高度关注物质)

    Lead (21-Jan-2025)

技术文档 2

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:Lead (21-Jan-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.000001