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SQ1539EH-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY1.990 | CNY9.95 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.990 (CNY2.2487) |
| 50+ | CNY1.800 (CNY2.034) |
| 100+ | CNY1.600 (CNY1.808) |
| 500+ | CNY1.460 (CNY1.6498) |
| 1500+ | CNY1.440 (CNY1.6272) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQ1539EH-T1_GE3复制
制造商标准货期20 周
库存编号
复卷3470722RL
切割卷带3470722
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道850mA
连续漏极电流 Id P沟道850mA
漏源通态电阻N沟道0.21ohm
漏源导通电阻P沟道0.21ohm
晶体管封装类型SC-70
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.5W
耗散功率P沟道1.5W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
850mA
漏源导通电阻P沟道
0.21ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.5W
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
850mA
漏源通态电阻N沟道
0.21ohm
晶体管封装类型
SC-70
耗散功率N沟道
1.5W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000002