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SQ1539EH-T1_GE3

双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm

VISHAY
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
VISHAY SQ1539EH-T1_GE3 双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
制造商VISHAY
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库存编号
复卷3470722RL
切割卷带3470722
产品范围TrenchFET Series
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产品信息

  • VISHAY
    制造商VISHAY
    制造商产品编号SQ1539EH-T1_GE3复制
    库存编号
    复卷3470722RL
    切割卷带3470722
    产品范围TrenchFET Series
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型互补N与P沟道
    漏源电压Vds N沟道30V
    漏源电压Vds P沟道30V
    连续漏极电流 Id N沟道850mA
    连续漏极电流 Id P沟道850mA
    漏源通态电阻N沟道0.21ohm
    漏源导通电阻P沟道0.21ohm
    晶体管封装类型SC-70
    针脚数6引脚
    耗散功率N沟道1.5W
    耗散功率P沟道1.5W
    工作温度最高值175°C
    产品范围TrenchFET Series
    合规AEC-Q101
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)

技术规格

  • 通道类型

    互补N与P沟道

    漏源电压Vds P沟道

    30V

    连续漏极电流 Id P沟道

    850mA

    漏源导通电阻P沟道

    0.21ohm

    针脚数

    6引脚

    耗散功率P沟道

    1.5W

    产品范围

    TrenchFET Series

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (04-Feb-2026)

    漏源电压Vds N沟道

    30V

    连续漏极电流 Id N沟道

    850mA

    漏源通态电阻N沟道

    0.21ohm

    晶体管封装类型

    SC-70

    耗散功率N沟道

    1.5W

    工作温度最高值

    175°C

    合规

    AEC-Q101

技术文档 1

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    Germany
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.000002