SIHK105N60EF-T1GE3

功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 24 A, 0.105 ohm, PowerPAK, 表面安装

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VISHAY SIHK105N60EF-T1GE3 功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 24 A, 0.105 ohm, PowerPAK, 表面安装
制造商VISHAY
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复卷4014711RL
切割卷带4014711
产品范围EF Gen IV Series
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产品信息

  • 制造商VISHAY
    制造商产品编号SIHK105N60EF-T1GE3复制
    库存编号
    复卷4014711RL
    切割卷带4014711
    产品范围EF Gen IV Series
    技术数据表
    通道类型N通道
    漏源电压, Vds600V
    电流, Id 连续24A
    漏源接通状态电阻0.105ohm
    晶体管封装类型PowerPAK
    晶体管安装表面安装
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值5V
    功率耗散142W
    针脚数8引脚
    工作温度最高值150°C
    产品范围EF Gen IV Series
    合规-
    SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)

技术规格

  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    24A

    晶体管封装类型

    PowerPAK

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    142W

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

    漏源电压, Vds

    600V

    漏源接通状态电阻

    0.105ohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    5V

    针脚数

    8引脚

    产品范围

    EF Gen IV Series

    SVHC(高度关注物质)

    Lead (07-Nov-2024)

法律与环境

  • 原产地:
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:
    Israel
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号:85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规:

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:

    RoHS

    SVHC:Lead (07-Nov-2024)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量(千克):.000363