打印页面

SI7463DP-T1-E3

功率场效应管, MOSFET, P通道, 40 V, 18.6 A, 9200 µohm, PowerPAK SO, 表面安装

VISHAY
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
VISHAY SI7463DP-T1-E3 功率场效应管, MOSFET, P通道, 40 V, 18.6 A, 9200 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7463DP-T1-E3复制
库存编号
复卷1684081RL
切割卷带1684081
您的零件号
技术数据表

Data Sheet

查看所有技术文档
1 有货

需要更多？

1 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
包装类型数量单价 (不含增值税):合计
切割卷带1CNY23.060CNY23.06
合计 价钱 (含税) CNY23.06 (CNY26.06)
切割卷带 & 复卷
数量价钱 (含税)
1+CNY23.060 (CNY26.0578)
50+CNY16.210 (CNY18.3173)
100+CNY12.950 (CNY14.6335)
500+CNY11.590 (CNY13.0967)
1500+CNY10.610 (CNY11.9893)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。

产品信息

  • VISHAY
    制造商VISHAY
    制造商产品编号SI7463DP-T1-E3复制
    库存编号
    复卷1684081RL
    切割卷带1684081
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型P通道
    漏源电压, Vds40V
    电流, Id 连续18.6A
    漏源接通状态电阻9200µohm
    晶体管封装类型PowerPAK SO
    晶体管安装表面安装
    Rds(on)测试电压20V
    阈值栅源电压最大值3V
    功率耗散1.9W
    针脚数8引脚
    工作温度最高值150°C
    产品范围-
    合规-
    湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)

产品概述

  • The SI7463DP-T1-E3 is a 40VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

    • Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
    • -55 to 150°C Operating temperature range

技术规格

  • 通道类型

    P通道

    电流, Id 连续

    18.6A

    晶体管封装类型

    PowerPAK SO

    Rds(on)测试电压

    20V

    功率耗散

    1.9W

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (21-Jan-2025)

    漏源电压, Vds

    40V

    漏源接通状态电阻

    9200µohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    3V

    针脚数

    8引脚

    产品范围

    -

    湿气敏感性等级

    MSL 1 -无限制

技术文档 4

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.000587