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IRL630PBF..

功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, 通孔

VISHAY
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
VISHAY IRL630PBF.. 功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, 通孔
制造商VISHAY
制造商产品编号IRL630PBF..复制
制造商标准货期28 周
库存编号2396084
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产品信息

  • VISHAY
    制造商VISHAY
    制造商产品编号IRL630PBF..复制
    制造商标准货期28 周
    库存编号2396084
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型N通道
    漏源电压, Vds200V
    电流, Id 连续9A
    漏源接通状态电阻0.4ohm
    晶体管封装类型TO-220AB
    晶体管安装通孔
    Rds(on)测试电压5V
    阈值栅源电压最大值2V
    功率耗散74W
    针脚数3引脚
    工作温度最高值150°C
    产品范围-
    合规-
    湿气敏感性等级-
    SVHC(高度关注物质)Lead (19-Jan-2021)

IRL630PBF.. 的替代之选

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产品概述

  • The IRL630PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.

    • Dynamic dV/dt rating
    • -55 to 150°C Operating temperature range
    • Repetitive avalanche rated
    • Logic-level gate drive
    • Ease of paralleling
    • RDS (ON) Specified at VGS = 4 and 5V

技术规格

  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    9A

    晶体管封装类型

    TO-220AB

    Rds(on)测试电压

    5V

    功率耗散

    74W

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    Lead (19-Jan-2021)

    漏源电压, Vds

    200V

    漏源接通状态电阻

    0.4ohm

    晶体管安装

    通孔

    阈值栅源电压最大值

    2V

    针脚数

    3引脚

    产品范围

    -

    湿气敏感性等级

    -

技术文档 1

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    United States
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:Lead (19-Jan-2021)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.002042