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IRF9540SPBF
功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 19 A, 0.2 ohm, TO-263AB, 表面安装
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| 10+ | CNY19.960 (CNY22.5548) |
| 100+ | CNY18.200 (CNY20.566) |
| 500+ | CNY15.010 (CNY16.9613) |
| 1000+ | CNY13.180 (CNY14.8934) |
| 5000+ | CNY12.920 (CNY14.5996) |
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产品信息
- 制造商VISHAY制造商产品编号IRF9540SPBF复制库存编号2646350技术数据表通道类型P通道漏源电压, Vds100V电流, Id 连续19A漏源接通状态电阻0.2ohm晶体管封装类型TO-263AB晶体管安装表面安装Rds(on)测试电压10V阈值栅源电压最大值4V功率耗散150W针脚数3引脚工作温度最高值175°C产品范围-合规-湿气敏感性等级MSL 1 -无限制SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
产品概述
The IRF9540SPBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The D2PAK is a surface-mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest power capability in any existing surface-mount package. The D2PAK is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- -55 to 175°C Operating temperature range
- Surface-mount
- Halogen-free
技术规格
- 通道类型
P通道
电流, Id 连续19A
晶体管封装类型TO-263AB
Rds(on)测试电压10V
功率耗散150W
工作温度最高值175°C
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds100V
漏源接通状态电阻0.2ohm
晶体管安装表面安装
阈值栅源电压最大值4V
针脚数3引脚
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
法律与环境
- 原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区税则号：85412900US ECCN:EAR99EU ECCN:NLRRoHS 合规：是RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)下载产品合规证书产品合规证书
重量（千克）：.001