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IRF740ASPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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| 500+ | CNY9.300 (CNY10.509) |
| 1000+ | CNY8.470 (CNY9.5711) |
| 5000+ | CNY8.310 (CNY9.3903) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号IRF740ASPBF复制
库存编号8657815
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds400V
电流, Id 连续10A
漏源接通状态电阻0.55ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散125W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
产品概述
- N-channel power MOSFET in D2PAK (TO-263) package
- Low gate charge Qg results in simple drive requirement
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current
- Used in Switch Mode Power Supply (SMPS), uninterruptible power supply and high speed power switching
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
10A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
125W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
400V
漏源接通状态电阻
0.55ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0018