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| 5+ | CNY138.910 (CNY156.9683) |
| 10+ | CNY116.000 (CNY131.080) |
| 50+ | CNY114.160 (CNY129.0008) |
| 100+ | CNY112.320 (CNY126.9216) |
| 250+ | CNY110.080 (CNY124.3904) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号UJ4SC075018L8S复制
库存编号4221987
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续53A
漏源电压, Vds750V
漏源接通状态电阻18mohm
晶体管封装类型MO-299
针脚数8引脚
Rds(on)测试电压12V
阈值栅源电压最大值6V
功率耗散349W
工作温度最高值175°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
53A
漏源接通状态电阻
18mohm
针脚数
8引脚
阈值栅源电压最大值
6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
750V
晶体管封装类型
MO-299
Rds(on)测试电压
12V
功率耗散
349W
产品范围
-
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001

