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SSM6N37FU,LF(T

双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 20 V, 250 mA, 2.2 ohm

TOSHIBA
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
TOSHIBA SSM6N37FU,LF(T 双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 20 V, 250 mA, 2.2 ohm
制造商TOSHIBA
制造商产品编号SSM6N37FU,LF(T复制
库存编号
复卷4381048RL
切割卷带4381048
产品范围U-MOSIII Series
也称为SSM6N37FU, SSM6N37FU,LF
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500+CNY0.770 (CNY0.8701)
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产品信息

  • TOSHIBA
    制造商TOSHIBA
    制造商产品编号SSM6N37FU,LF(T复制
    库存编号
    复卷4381048RL
    切割卷带4381048
    产品范围U-MOSIII Series
    也称为SSM6N37FU, SSM6N37FU,LF
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型双N通道
    漏源电压Vds N沟道20V
    漏源电压Vds P沟道-
    连续漏极电流 Id N沟道250mA
    连续漏极电流 Id P沟道-
    漏源通态电阻N沟道2.2ohm
    漏源导通电阻P沟道-
    晶体管封装类型SOT-363
    针脚数6引脚
    耗散功率N沟道300mW
    耗散功率P沟道-
    工作温度最高值150°C
    产品范围U-MOSIII Series
    合规-
    SVHC(高度关注物质)To Be Advised

技术规格

  • 通道类型

    双N通道

    漏源电压Vds P沟道

    -

    连续漏极电流 Id P沟道

    -

    漏源导通电阻P沟道

    -

    针脚数

    6引脚

    耗散功率P沟道

    -

    产品范围

    U-MOSIII Series

    SVHC(高度关注物质)

    To Be Advised

    漏源电压Vds N沟道

    20V

    连续漏极电流 Id N沟道

    250mA

    漏源通态电阻N沟道

    2.2ohm

    晶体管封装类型

    SOT-363

    耗散功率N沟道

    300mW

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

技术文档 1

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    Thailand
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412100
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:To Be Advised
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.008618