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CSD23381F4
场效应管, MOSFET, P沟道, 12V, 2.3A, LGA-3
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY2.600 | CNY13.00 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.600 (CNY2.938) |
| 10+ | CNY1.750 (CNY1.9775) |
| 100+ | CNY1.080 (CNY1.2204) |
| 500+ | CNY0.763 (CNY0.8622) |
| 1000+ | CNY0.511 (CNY0.5774) |
| 5000+ | CNY0.403 (CNY0.4554) |
品項附註
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产品信息
制造商产品编号CSD23381F4
库存编号
复卷3385721RL
切割卷带3385721
产品范围FemtoFET
通道类型P通道
漏源电压, Vds12V
电流, Id 连续2.3A
漏源接通状态电阻0.15ohm
晶体管封装类型LGA
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值950mV
功率耗散500mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围FemtoFET
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
2.3A
晶体管封装类型
LGA
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
12V
漏源接通状态电阻
0.15ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
950mV
针脚数
3引脚
产品范围
FemtoFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000002