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CSD19532Q5B
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 A, 4900 µohm, VSON, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY23.700 | CNY23.70 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY23.700 (CNY26.781) |
| 10+ | CNY15.400 (CNY17.402) |
| 100+ | CNY10.680 (CNY12.0684) |
| 500+ | CNY9.000 (CNY10.170) |
| 1000+ | CNY8.620 (CNY9.7406) |
品項附註
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产品信息
制造商产品编号CSD19532Q5B
库存编号
复卷3125059RL
切割卷带3125059
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻4900µohm
晶体管封装类型VSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.6V
功率耗散3.1W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
产品概述
The CSD19532Q5B is a NexFET™ N-channel Power MOSFET designed to minimize losses in power conversion applications. It is suitable for use in synchronous rectifier for offline and isolated DC-to-DC converter applications.
- Low Qg and Qgd
- Low thermal resistance
- Avalanche rated
- Halogen-free
- Plastic package
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
VSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
4900µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.6V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000345