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STW9N150

功率场效应管, MOSFET, N通道, 1.5 kV, 8 A, 1.8 ohm, TO-247, 通孔

STMICROELECTRONICS
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
STMICROELECTRONICS STW9N150 功率场效应管, MOSFET, N通道, 1.5 kV, 8 A, 1.8 ohm, TO-247, 通孔
制造商STMICROELECTRONICS
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产品信息

  • STMICROELECTRONICS
    制造商STMICROELECTRONICS
    制造商产品编号STW9N150复制
    库存编号2098402
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型N通道
    漏源电压, Vds1.5kV
    电流, Id 连续8A
    漏源接通状态电阻1.8ohm
    晶体管封装类型TO-247
    晶体管安装通孔
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值4V
    功率耗散320W
    针脚数3引脚
    工作温度最高值150°C
    产品范围-
    合规-
    湿气敏感性等级-
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

产品概述

  • STW9N150是一款1500V N沟道功率MOSFET, 采用高压MESH OVERLAY™过程工艺开发而成。优化的布局, 配合专有的边缘端接结构, 可提供每个区域超低RDS (on), 以及极佳的栅极电荷和开关特性。优秀的栅极电荷和降低功耗, 可以满足当今最苛刻的效率要求。

    • 100%经过雪崩测试
    • 雪崩的坚固性
    • 减少栅极电荷
    • 非常低的内在电容
    • 高速开关
    • 非常低的导通电阻

技术规格

  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    8A

    晶体管封装类型

    TO-247

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    320W

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

    漏源电压, Vds

    1.5kV

    漏源接通状态电阻

    1.8ohm

    晶体管安装

    通孔

    阈值栅源电压最大值

    4V

    针脚数

    3引脚

    产品范围

    -

    湿气敏感性等级

    -

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法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.006588