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STD35P6LLF6

功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装

STMICROELECTRONICS
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
STMICROELECTRONICS STD35P6LLF6 功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
制造商STMICROELECTRONICS
制造商产品编号STD35P6LLF6复制
库存编号2807190
产品范围STripFET F6
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产品信息

  • STMICROELECTRONICS
    制造商STMICROELECTRONICS
    制造商产品编号STD35P6LLF6复制
    库存编号2807190
    产品范围STripFET F6
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型P通道
    漏源电压, Vds60V
    电流, Id 连续35A
    漏源接通状态电阻0.028ohm
    晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
    晶体管安装表面安装
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值2.5V
    功率耗散70W
    针脚数3引脚
    工作温度最高值175°C
    产品范围STripFET F6
    合规-
    湿气敏感性等级-
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

产品概述

  • 该器件是采用STripFET F6技术开发的P沟道功率MOS，具有新的沟道栅极结构。

    • 非常低的导通电阻
    • 非常低的栅极电荷
    • 高雪崩坚固性
    • 低栅极驱动功率损耗

技术规格

  • 通道类型

    P通道

    电流, Id 连续

    35A

    晶体管封装类型

    TO-252 (DPAK)

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    70W

    工作温度最高值

    175°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

    漏源电压, Vds

    60V

    漏源接通状态电阻

    0.028ohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    2.5V

    针脚数

    3引脚

    产品范围

    STripFET F6

    湿气敏感性等级

    -

技术文档 2

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.000907