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EasyPACK™ C 系列 MOSFET

Infineon MOSFET 采用 CoolSiC™ M2 芯片和 .XT 互连技术

Infineon CoolSiC™ MOSFET 功率模块可为逆变器设计人员带来机会,助力实现卓越的效率和功率密度。EasyPACK™ 1C 和 2C CoolSiC™ MOSFET M2 .XT 四组、三电平模块是 1200V、8mΩ 和 13mΩ 器件,采用 NTC 温度传感器、预涂 2.0 热介质和大电流 PressFIT 接触技术。

特性和优势

特性

  • 改进了封装概念
  • .XT 互连技术
  • CoolSiC M2 芯片技术
  • 大电流 PressFIT 引脚
  • 集成 NTC 温度传感器
  • 过载条件:TVJ 高达 +200°C
  • 扩大的栅源电压窗口
  • 热介质 (TIM) 2.0

优势

  • 出色的模块效率
  • 系统效率提升
  • 延长使用寿命
  • 耐高温能力
  • 降低静态损耗
  • 紧凑设计
  • 完全兼容 EasyPACK™ B 系列

应用

燃料电池 DC-DC 升压转换器

电动汽车充电

特色产品

F4-13MXTR12C1M2_H11
F4-13MXTR12C1M2Q_H11

F4-13MXTR12C1M2Q_H11

EasyPACK™ 1C CoolSiC™ MOSFET M2 .XT,四组模块,1200V,13mΩ,采用 NTC 温度传感器、预涂 2.0 热介质和大电流 PressFIT 接触技术

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F3L8MXTR12C2M2_H11

F3L8MXTR12C2M2_H11

EasyPACK™ 2C CoolSiC™ MOSFET M2 .XT,三电平模块,1200V,8mΩ,采用 NTC 温度传感器和大电流 PressFIT 接触技术

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F3L8MXTR12C2M2Q_H11

F3L8MXTR12C2M2Q_H11

EasyPACK™ 2C CoolSiC™ MOSFET M2 .XT,三电平模块,1200V,8mΩ,采用 NTC 温度传感器、预涂 2.0 热介质和大电流 PressFIT 接触技术

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F4-8MXTR12C2M2_H11

F4-8MXTR12C2M2_H11

EasyPACK™ 2C CoolSiC™ MOSFET M2 .XT,四组模块,1200V,8mΩ,采用 NTC 温度传感器和大电流 PressFIT 接触技术

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F4-8MXTR12C2M2Q_H11

F4-8MXTR12C2M2Q_H11

EasyPACK™ 2C CoolSiC™ MOSFET M2 .XT,四组模块,1200V,8mΩ,采用 NTC 温度传感器、预涂 2.0 热介质和大电流 PressFIT 接触技术

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