Infineon CoolSiC™ MOSFET 功率模块可为逆变器设计人员带来机会,助力实现卓越的效率和功率密度。EasyPACK™ 1C 和 2C CoolSiC™ MOSFET M2 .XT 四组、三电平模块是 1200V、8mΩ 和 13mΩ 器件,采用 NTC 温度传感器、预涂 2.0 热介质和大电流 PressFIT 接触技术。
特性和优势
特性
- 改进了封装概念
- .XT 互连技术
- CoolSiC M2 芯片技术
- 大电流 PressFIT 引脚
- 集成 NTC 温度传感器
- 过载条件:TVJ 高达 +200°C
- 扩大的栅源电压窗口
- 热介质 (TIM) 2.0
优势
- 出色的模块效率
- 系统效率提升
- 延长使用寿命
- 耐高温能力
- 降低静态损耗
- 紧凑设计
- 完全兼容 EasyPACK™ B 系列


