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BSM180D12P2E002

碳化硅MOSFET, 半桥, 双N通道, 204 A, 1.2 kV, Module

ROHM
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ROHM BSM180D12P2E002 碳化硅MOSFET, 半桥, 双N通道, 204 A, 1.2 kV, Module
制造商ROHM
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产品信息

  • ROHM
    制造商ROHM
    制造商产品编号BSM180D12P2E002复制
    库存编号3573220
    技术数据表

    Data Sheet

    MOSFET模块配置半桥
    通道类型双N通道
    电流, Id 连续204A
    漏源电压, Vds1.2kV
    漏源接通状态电阻-
    晶体管封装类型Module
    针脚数-
    Rds(on)测试电压-
    阈值栅源电压最大值4V
    功率耗散1.36kW
    工作温度最高值150°C
    产品范围-
    SVHC(高度关注物质)Lead (23-Jan-2024)

产品概述

  • BSM180D12P2E002 is a SiC power module. This product is a chopper module consisting of SiC-DMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, inverter, converter, photovoltaics, wind power generation, induction heating equipment.

    • Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
    • Reduced temperature dependence
    • 1.6V drain source voltage (Tj= 25°C, VGS=0V, IS=180A)
    • 1.6 to 4V gate-source voltage range (VDS=10V, ID=35.2mA)
    • 204A drain current DC (Tc=60°C), 204A source current
    • 2.2V typical static drain-source on-state voltage (Tj=25°C, ID180A, VGS=18V)
    • 3.2mA maximum drain cut off current (VDS=1200V, VGS=0V)
    • 0.5µA maximum gate-source leakage current (VGS=22V, VDS=0V)
    • 45ns typical switching characteristics (VGS(on)=18V, VGS(off)=0V)
    • Operating junction temperature range from -40 to 150°C

技术规格

  • MOSFET模块配置

    半桥

    电流, Id 连续

    204A

    漏源接通状态电阻

    -

    针脚数

    -

    阈值栅源电压最大值

    4V

    工作温度最高值

    150°C

    SVHC(高度关注物质)

    Lead (23-Jan-2024)

    通道类型

    双N通道

    漏源电压, Vds

    1.2kV

    晶体管封装类型

    Module

    Rds(on)测试电压

    -

    功率耗散

    1.36kW

    产品范围

    -

技术文档 2

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    Japan
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:Lead (23-Jan-2024)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.28