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UF3C065080T3S

碳化硅MOSFET, 单, N通道, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220

ONSEMI
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ONSEMI UF3C065080T3S 碳化硅MOSFET, 单, N通道, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
制造商ONSEMI
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产品信息

  • ONSEMI
    制造商ONSEMI
    制造商产品编号UF3C065080T3S复制
    库存编号4014240
    技术数据表

    Data Sheet

    MOSFET模块配置单
    通道类型N通道
    电流, Id 连续31A
    漏源电压, Vds650V
    漏源接通状态电阻0.08ohm
    晶体管封装类型TO-220
    针脚数3引脚
    Rds(on)测试电压12V
    阈值栅源电压最大值5V
    功率耗散190W
    工作温度最高值175°C
    产品范围-
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)

技术规格

  • MOSFET模块配置

    单

    电流, Id 连续

    31A

    漏源接通状态电阻

    0.08ohm

    针脚数

    3引脚

    阈值栅源电压最大值

    5V

    工作温度最高值

    175°C

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (17-Jan-2023)

    通道类型

    N通道

    漏源电压, Vds

    650V

    晶体管封装类型

    TO-220

    Rds(on)测试电压

    12V

    功率耗散

    190W

    产品范围

    -

技术文档 1

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    Philippines
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.002